[发明专利]一种新型SGT超级结MOSFET结构在审
| 申请号： | 201811613050.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980017A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 卡西克·帕德马纳班;管灵鹏;马督儿·博德;王健;张磊 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明是一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括屏蔽沟槽栅极结构和超级结结构的组合，在含有漂流区中交替的n‑掺杂和p‑掺杂立柱的外延层内。在一个示例中，栅极沟槽形成在n‑掺杂立柱中和n‑掺杂立柱上方，n‑掺杂立柱在相应的栅极沟槽底部附近和周围具有一个多余的电荷区域。由于栅极沟槽中的屏蔽电极，多余的电荷是平衡的。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 立柱 栅极沟槽 半导体场效应晶体管 超级结MOSFET 沟槽栅极结构 超级结结构 电荷区域 沟槽金属 屏蔽电极 电荷 交替的 外延层 氧化物 屏蔽 中和 漂流 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管器件，其特征在于，包含：一个第一导电类型的漂流区，位于相同导电类型的重掺杂衬底上方；一个第二导电类型的本体区，位于漂流区上方，第二导电类型与第一导电类型相反；多个沟槽，位于本体区中，并延伸到漂流区内；一个第一导电类型的重掺杂源极区，位于本体区中；以及一个超级结结构，位于漂流区中，包括交替的第一导电类型的第一掺杂立柱以及平行排布的第二导电类型的第二掺杂立柱，其中第二掺杂立柱的每个立柱都位于两个相邻的沟槽之间，其中第一掺杂立柱的每个立柱都有一个多余的电荷浓度区，在多个沟槽中相应的一个沟槽附近和周围，其中交替的第一掺杂立柱和第二掺杂立柱都在漂流区中处于基本的电荷平衡。
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