[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201811613419.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN111384188A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 赵树利 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/18;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池及其制备方法,该薄膜太阳能电池包括:基板;背电极层,设置在所述基板上;光吸收层,设置在所述背电极层上;缓冲层:设置在所述光吸收层上;窗口层,设置在所述缓冲层上;所述窗口层包括高阻层和透明导电层,所述透明导电层包括透明导电氧化物层及纳米碳材料层。引入碳纳米管替代原有的金属栅极;制备工艺简单,纳米碳材料层和透明导电氧化物层一起作为透明导电层,增强对电流的传输能力,从而达到降低透明导电层的厚度,增大铜铟镓硒子电池宽度,增强光吸收效率,最终提高薄膜太阳能电池光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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