[发明专利]顶针高度调节装置及反应腔室有效
申请号: | 201811613509.8 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109786293B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 王帅伟;兰云峰;王勇飞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;李向英 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种顶针高度调节装置及反应腔室,该顶针高度调节装置包括:升降托,顶针的底部位于升降托上,且升降托底部设置第一斜面和第二斜面;第一调节块,第一调节块的顶部设置有第三斜面,第一斜面和第三斜面相对匹配设置;第二调节块,第二调节块的顶部设置有第四斜面,第二斜面和第四斜面相对匹配设置;驱动机构,用于驱动第一调节块和第二调节块,使第一调节块和第二调节块在安装板上横向移动,驱动升降托的纵向移动以改变顶针的高度。为顶针高度的调整提供了更为便利的调节方案,避免了因多个顶针形成的支撑面不平导致衬底颗粒、以及在机械手传片时衬底位置变化甚至滑片等问题。 | ||
搜索关键词: | 顶针 高度 调节 装置 反应 | ||
【主权项】:
1.一种顶针高度调节装置,其特征在于,包括:升降托,所述升降托内设置有用于容纳顶针的容纳槽,且所述升降托底部设置第一斜面和第二斜面,所述第一斜面与所述第二斜面对称;第一调节块,所述第一调节块的顶部设置有第三斜面,所述第一斜面和所述第三斜面相对匹配设置,且第一调节块通过所述第三斜面支撑所述升降托;第二调节块,所述第二调节块的顶部设置有第四斜面,所述第二斜面和所述第四斜面相对匹配设置,且第二调节块通过所述第四斜面支撑所述升降托;驱动机构,用于驱动所述第一调节块和所述第二调节块,使所述第一调节块和所述第二调节块在安装板上横向移动,驱动所述升降托的纵向移动以改变所述顶针的高度;安装板,用于安装所述第一调节块,所述第二调节块以及所述驱动机构,所述安装板通过固定销安装于反应腔室内的底面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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