[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811614171.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111384255A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 范嘉城;黎瑞锋;刘文勇;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的叠层，其中，所述叠层包括层叠设置的第一电子传输层、Ag纳米岛层和第二电子传输层，所述第一电子传输层靠近所述量子点发光层设置，所述第二电子传输层靠近所述阴极设置，所述Ag纳米岛层设置在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层之间。本发明通过插入一层Ag纳米岛，当Ag纳米岛的等离子体共振波长与发光波长相匹配时，引发的局域表面等离子体共振能增强量子点纳米颗粒附近区域的电磁场，抑制激子的淬灭，降低激子寿命，从而增强辐射发光的几率，提高器件发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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