[发明专利]一种深紫外LED外延芯片正装结构有效
| 申请号： | 201811614645.9 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109545928B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 何苗;杨思攀;王成民;王润;周海亮 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;唐京桥 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于紫外LED技术领域，尤其涉及一种深紫外LED外延芯片正装结构。本发明提供了一种深紫外LED外延芯片正装结构，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 外延 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED外延芯片正装结构，其特征在于，包括：n型电极、p型电极和外延芯片本体；所述n型电极和所述p型电极设置于所述外延芯片本体的同一侧；所述外延芯片本体包括依次设置的第一衬底、第一外延层和电极板；所述第一外延层包括依次叠加设置的缓冲层、AlN/AlGaN超晶格和n+型AlGaN层，所述缓冲层与所述第一衬底叠加设置；所述n型电极与所述第一衬底电连接，所述p型电极与所述电极板电连接；所述缓冲层为异质结构的BN层或AlN层。
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