[发明专利]具有隔离阴极结构的集成门极换流晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811615517.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686786A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 曾嵘;刘佳鹏;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人： | 张陆军;张迎新 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构，进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路，抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应，拓展器件的安全工作区域。本发明还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成门极换流晶闸管 发射极 基区 安全工作区域 阴极结构 梳条 门极驱动电路 阴极 区域隔离 芯片层面 阴极区域 阳极 缓冲层 配套的 门极 封装 制备 隔离 汇聚 拓展 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成门极换流晶闸管，所述集成门极换流晶闸管依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，其特征在于，该集成门极换流晶闸管p基区由在其水平方向上分隔为两个或两个以上的p基区子区域组成，各p基区子区域均具有独立的阴极和门极，各区域间门极与阴极相互隔离。
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