[发明专利]环栅纳米线晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种环栅纳米线晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供表面设置有鳍结构的衬底，鳍结构包括沿远离衬底的方向依次交替层叠设置的牺牲层与沟道层；形成跨鳍结构的假栅，鳍结构由沿长度方向顺次连接的第一鳍体段、第二鳍体段和第三鳍体段组成，假栅覆盖第二鳍体段，并去除第一鳍体段和第二鳍体段，以使第二鳍体段的两侧端面裸露；采用半导体材料在第二鳍体段的两侧端面上外延形成释放停止层，并形成分别与释放停止层连接的源/漏极；去除假栅以及第二鳍体段中的牺牲层，以使沟道层的表面裸露得到纳米线阵列，并绕纳米线阵列中各纳米线的外周形成栅堆叠结构。上述环栅纳米线晶体管的制备方法工艺简单且易于实施。

主权项

1.一种环栅纳米线晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供表面设置有鳍结构的衬底(10)，所述鳍结构包括沿远离所述衬底(10)的方向依次交替层叠设置的牺牲层(20)与沟道层(30)；S2，形成跨所述鳍结构的假栅(40)，所述鳍结构由沿长度方向顺次连接的第一鳍体段、第二鳍体段和第三鳍体段组成，所述假栅(40)覆盖所述第二鳍体段，并去除所述第一鳍体段和所述第二鳍体段，以使所述第二鳍体段的两侧端面裸露；S3，采用半导体材料在所述第二鳍体段的两侧端面上外延形成释放停止层(50)，并形成分别与所述释放停止层(50)连接的源/漏极(80)；S4，去除所述假栅(40)以及所述第二鳍体段中的所述牺牲层(20)，以使所述沟道层(30)的表面裸露得到纳米线阵列(310)，并绕所述纳米线阵列(310)中各纳米线的外周形成栅堆叠结构(90)。