[发明专利]基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法

摘要

一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。

主权项

1.一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器，其特征在于，所述的阻变存储器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极；所述的底电极为透明导电玻璃FTO，所述的阻变层材料为(Cs_xFA_yMA_1‑x‑y)Pb(I_zBr_1‑z)₃，通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。