[发明专利]一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器有效
| 申请号： | 201811617497.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111380929B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;魏千惠;魏峰;张晓;赵春华 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26;G01N27/327;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器。该细胞传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SO1衬底上的通过FinFET制造工艺形成的Si纳米线、通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该细胞传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层。本发明的细胞传感器能够对活体细胞进行快速、准确、无损和高灵敏度的检测，而且该细胞传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 finfet 制造 工艺 纳米 细胞 传感器 | ||
【主权项】：
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