[发明专利]发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法有效
| 申请号： | 201811617556.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109659061B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈东风;孙凯;刘蕴韬;李玉庆;韩松柏;焦学胜;王洪立;贺林峰;刘晓龙;李眉娟;郝丽杰;魏国海;武梅梅;韩文泽 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G21K1/02 | 分类号： | G21K1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法，中子准直器结构包括：中子屏蔽和吸收外壳；滑轨，固定于中子屏蔽和吸收外壳内部；第一中子准直器，固定安装于滑轨上；第二中子准直器，安装于滑轨上，沿着滑轨可进行移动，以改变中子入射方向对应的中子吸收层长度，从而实现中子发散角的连续调节；以及驱动结构，用于驱动第二中子准直器沿着滑轨进行移动。该中子准直器结构在实际应用中可以大大减少准直器的更换频率从而节约了宝贵的中子束流时间，同时减少所需准直器的数量从而节约大量的购置经费。 | ||
| 搜索关键词： | 发散 连续 可调 中子 准直器 结构 及其 标定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发散角连续可调的中子准直器结构，其特征在于，包括：中子屏蔽和吸收外壳(1)；滑轨(2)，固定于所述中子屏蔽和吸收外壳(1)内部；第一中子准直器(3)，固定安装于所述滑轨(2)上；第二中子准直器(4)，安装于所述滑轨(2)上，沿着所述滑轨(2)可进行移动，以改变中子入射方向对应的中子吸收层长度，从而实现中子发散角的连续调节；以及驱动结构(9)，用于驱动所述第二中子准直器(4)沿着所述滑轨(2)进行移动。
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