[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811617682.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021561B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的形成方法。首先，提供一基板，并在上述基板的高电位预定区中形成具有相反导电型态的第一阱与第二阱。接着，形成高电位区氧化层于上述高电位预定区的基板上，然后在上述基板的低电位预定区中形成具有相反导电型态的第三阱与第四阱，之后，形成低电位区氧化层于上述低电位预定区的基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括:提供一基板，其中该基板包括一低电位预定区以及一高电位预定区；形成一第一阱与一第二阱于该高电位预定区的基板中，其中该第一阱与该第二阱具有相反的导电型态；形成一高电位区氧化层于该高电位预定区的基板上；以及在形成该高电位区氧化层之后，形成一第三阱与一第四阱于该低电位预定区的基板中，其中该第三阱与该第四阱具有相反的导电型态；以及形成一低电位区氧化层于该低电位预定区的基板上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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