[发明专利]一种键合腔体结构及键合方法有效
| 申请号： | 201811618228.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109887860B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 厉心宇 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种键合腔体结构及键合方法，键合腔体包括上承载台和下承载台，气流形成机构，气流形成机构包括多个开合式集成手臂，集成手臂上朝向晶圆键合面设有多个气嘴，气嘴经切换时成为气体喷嘴或真空吸嘴，当各集成手臂合拢时与承载台之间形成密闭环境，通过将位于晶圆一侧的各气嘴设定为气体喷嘴，向晶圆键合面中平行吹气，将位于晶圆另一侧的各气嘴设定为真空吸嘴，吸取由对应位置气体喷嘴吹来的气体，在两片晶圆间形成高速气流，产生伯努利效应低压，使得晶圆不仅受到来自背面的推力，而且在键合面之间也受到均匀的低压所产生的拉力作用，可增强键合过程中的受力均匀性，同时可以减少环境内颗粒对键合面造成的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 键合腔体 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
