[发明专利]一种半浮栅存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半浮栅存储器件及其制造方法，在现有工艺流程中仅增加一张光刻版和一步离子注入，使得现有器件结构的半浮栅窗口左右两侧加入了两块第二类掺杂的重掺杂区域，这两块第二类掺杂的重掺杂区域其一能减少寄生MOSFET漏电流、减少半浮栅漏电和电位波动，其二能进一步增强TFET向半浮栅的充电电流、缩短写入时间。本发明的半浮栅存储器件，可以提高存取速度，延长半浮栅保存电荷时间，同时器件之间的性能参数波动小，适用于大规模集成。

主权项

1.一种半浮栅存储器件，其特征在于，包括：一个具有第一类掺杂的半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一类掺杂的阱注入和沟道区域；形成于所述沟道区域左右两侧的具有第二类掺杂的轻掺杂区；覆盖于所述半导体衬底表面上的第一层电介质薄膜，形成于所述第一层电介质薄膜上的半浮栅接触窗口，所述半浮栅接触窗口位于右侧所述轻掺杂区的上方位置；形成于所述半浮栅接触窗口下方两侧位置的具有第二类掺杂的重掺杂区，所述重掺杂区相连位于右侧所述轻掺杂区中；形成于所述半浮栅接触窗口下方的第一类掺杂区域，所述第一类掺杂区域相连位于所述重掺杂区中；覆盖于所述第一层电介质薄膜及其半浮栅接触窗口上的具有第一类掺杂的半浮栅，所述半浮栅通过所述半浮栅接触窗口与左右两侧所述轻掺杂区接触，形成一个p‑n结二极管；覆盖于所述半浮栅表面上的第二层电介质薄膜，以及形成于所述第二层电介质薄膜上的控制栅；形成于所述控制栅两侧的侧墙，以及形成于所述侧墙两侧的所述半导体衬底上的具有第二类掺杂的源区和漏区。