[发明专利]发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法有效

专利信息
申请号: 201811618906.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109671513B 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 陈东风;李玉庆;孙凯;刘蕴韬;韩松柏;焦学胜;王洪立;李眉娟;贺林峰;刘晓龙;郝丽杰;武梅梅;魏国海;韩文泽 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: G21K1/02 分类号: G21K1/02;G01T7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 102413 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种发散角连续可调的中子准直器结构及其标定方法,中子准直器结构包括:若干片中子吸收层平行设置,每片中子吸收层的上、下方均固定有调整柱;调整滑块,为一中空框结构,设置于若干片中子吸收层外部;其中,该调整滑块的上、下表面均设置有与中子吸收层对应数量的调整槽,各个调整槽之间的间距沿着中子吸收层平行设置的方向呈渐变分布,中子吸收层的调整柱伸入该调整槽内;以及驱动结构,用于驱动该调整滑块沿着中子吸收层平行设置的方向进行移动,以改变调整柱在调整槽中所处的位置使中子吸收层的间距发生变化,从而实现中子发散角的连续调节。该结构可实现发散角按需调整,满足各种中子实验要求,节约中子束流时间和经费。
搜索关键词: 发散 连续 可调 中子 准直器 结构 及其 标定 方法
【主权项】:
1.一种发散角连续可调的中子准直器结构,其特征在于,包括:若干片中子吸收层(2)平行设置,每片中子吸收层(2)的上、下方均固定有调整柱(3);调整滑块(4),为一中空框结构,设置于所述若干片中子吸收层(2)外部;其中,该调整滑块(4)的上、下表面均设置有与所述中子吸收层(2)对应数量的调整槽(5),各个调整槽(5)之间的间距沿着中子吸收层平行设置的方向呈渐变分布,所述中子吸收层(2)的调整柱(3)伸入所述调整槽(5)内;以及驱动结构,用于驱动该调整滑块(4)沿着中子吸收层(2)平行设置的方向进行移动,以改变调整柱(3)在调整槽(5)中所处的位置使中子吸收层(2)的间距发生变化,从而实现中子发散角的连续调节。
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