[发明专利]带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源及其制作方法有效
| 申请号： | 201811619109.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109767961B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 李兴辉;韩攀阳;谢云竹;李含雁;李栋;蔡军;冯进军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J3/02 | 分类号： | H01J3/02;H01J9/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 赵晓丹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、发射尖锥、绝缘层、屏蔽层和栅极；所述发射尖锥至少部分暴露于所述绝缘层外，所述屏蔽层位于由所述发射尖锥、绝缘层和栅极构成的空腔中，以隔断所述发射尖锥和栅极。该场发射电子源带有防止沿络电弧的屏蔽结构，能有效防止传统场发射电子源的常见的沿络电弧失效的问题发生。本发明还公开了一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 结构 阵列 发射 电子 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种带屏蔽结构的尖锥阵列型场发射电子源，其特征在于，包括从下到上依次设置的基底、发射尖锥、绝缘层、屏蔽层和栅极；所述发射尖锥至少部分暴露于所述绝缘层外，所述屏蔽层位于由所述发射尖锥、绝缘层和栅极构成的空腔中，以隔断所述发射尖锥和栅极。
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