[发明专利]一种用于检测多氯联苯的适配体传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811619853.8 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109632904A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 李红东;袁晓溪;王启亮;高楠;刘钧松;成绍恒 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明的一种用于检测多氯联苯的适配体传感器及其制备方法,属于电化学生物传感器的技术领域。多氯联苯适配体传感器是在硼掺杂金刚石膜(1)上溅射金膜,用退火或刻蚀的方法得到高密度金纳米颗粒(2),在金纳米颗粒上自组装适配体(3),所述的适配体,是具有高目标亲和力的单链DNA或RNA,用于对多氯联苯‑77或羟化多氯联苯的检测。还可以使用巯基己醇占据金纳米颗粒未被适配体占据的空白位点减少非特异性吸附。本发明用于检测多氯联苯的适配体传感器具有特异性强、灵敏度高、检测限低,可原位快速检测,稳定性强,制备工艺简单,成本低廉,性价比高。该传感器可去除适配体和巯基己醇,恢复至初始状态,再重新组装使用。
搜索关键词: 多氯联苯 适配体传感器 适配体 金纳米颗粒 检测 巯基己醇 制备 电化学生物传感器 硼掺杂金刚石膜 退火 非特异性吸附 快速检测 特异性强 稳定性强 制备工艺 重新组装 单链DNA 灵敏度 占据 传感器 溅射金 可去除 自组装 刻蚀 位点 羟化 亲和力 恢复
【主权项】:
1.一种用于检测多氯联苯的适配体传感器,在硅、钛或钼衬底上生长有硼掺杂金刚石膜(1),其特征在于,在硼掺杂金刚石膜(1)上利用溅射退火的方法得到高密度纳米金颗粒(2),在纳米金颗粒(2)上自组装有适配体(3);所述的适配体(3),是结构为5'‑SH‑(CH2)6‑GGCGGGGCTACGAAGTAGTGATTTTTTCCGATGGCCCGTG‑3'或5'‑SH‑(CH2)6‑AGC‑AGC‑ACA‑GAG‑GTC‑AGA‑TGC‑ACT‑CGG‑ACC‑CCA‑TTC‑TCC‑TTC‑CAT‑CCC‑TCA‑TCC‑GTC‑CAC‑CCT‑ATG‑CGT‑GCT‑ACC‑GTG‑AA的适配体,分别用于检测多氯联苯‑77、羟化多氯联苯。
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