[发明专利]一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路在审
| 申请号： | 201811620029.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713031A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨;李薇 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/872;H01L21/329;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于无线传输的硅基肖特基二极管及整流电路，硅基肖特基二极管包括：Si衬底、第一Ge层、第二Ge层、SiGe/Ge应变超晶格插层、第一N型张应变Ge层、第二N型张应变Ge层、铝Al金属层和钨W金属层，第一Ge层设置在Si衬底的表面；第二Ge层设置在第一Ge层的表面；SiGe/Ge应变超晶格插层设置在第二Ge层的表面；第一N型张应变Ge层设置在第二Ge层的表面；第二N型张应变Ge层内嵌在第一N型张应变Ge层中；Al金属层设置在第二N型张应变Ge层的表面上；W金属层设置在第一N型张应变Ge层的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本发明实施例可以提高肖特基二极管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 张应变 肖特基二极管 硅基 应变超晶格 无线传输 整流电路 金属层 插层 衬底 电子迁移率 肖特基接触 内嵌 预设 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于无线传输的硅基肖特基二极管，其特征在于，包括：Si衬底(001)、第一Ge层(002)、第二Ge层(003)、SiGe/Ge应变超晶格插层(004)、第一N型张应变Ge层(011)、第二N型张应变Ge层(007)、铝Al金属层(008)和钨W金属层(010)，其中，所述第一Ge层(002)设置在所述Si衬底(001)的表面；所述第二Ge层(003)设置在所述第一Ge层(002)的表面；所述SiGe/Ge应变超晶格插层(004)设置在所述第二Ge层(003)的表面，其中，一个SiGe/Ge应变超晶格插层包括一个SiGe层以及一个生长在所述SiGe层上的Ge层；所述第一N型张应变Ge层(011)设置在所述第二Ge层(003)的表面；所述第二N型张应变Ge层(007)内嵌在所述第一N型张应变Ge层(011)中；所述Al金属层(008)设置在所述第二N型张应变Ge层(007)的表面上；所述W金属层(010)设置在所述第一N型张应变Ge层(011)的表面的预设的肖特基接触指定区域内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811620029.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种RC-IGBT器件
- 下一篇：一种抗辐射半导体器件终端结构
- 同类专利
- 专利分类
