[发明专利]一种用于整流天线的肖特基二极管及整流电路在审
| 申请号： | 201811620031.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109712881A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 薛磊;李雯 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/26 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于整流天线的肖特基二级管及整流电路，所述肖特基二级管包括：Si衬底(001)、晶化Ge1‑xSnx层(007)、N型Ge1‑xSnx层(009)、Al金属层(010)和W金属层(012)，其中，所述晶化Ge1‑xSnx层(007)设置在所述Si衬底(001)的表面；所述N型Ge1‑xSnx层(009)内嵌在所述晶化Ge1‑xSnx层(007)中；所述Al金属层(010)设置在所述N型Ge1‑xSnx层(009)的表面上；所述W金属层(012)设置在所述晶化Ge1‑xSnx层(007)表面的预设肖特基接触区域内。应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶化 肖特基二极管 肖特基二级管 整流电路 整流天线 金属层 衬底 无线能量传输系统 最大转换效率 电子迁移率 肖特基接触 内嵌 预设 微波 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于整流天线的肖特基二极管，其特征在于，包括：Si衬底(001)、晶化Ge1‑xSnx层(007)、N型Ge1‑xSnx层(009)、Al金属层(010)和W金属层(012)，其中，所述晶化Ge1‑xSnx层(007)设置在所述Si衬底(001)的表面；所述N型Ge1‑xSnx层(009)内嵌在所述晶化Ge1‑xSnx层(007)中；所述Al金属层(010)设置在所述N型Ge1‑xSnx层(009)的表面上；所述W金属层(012)设置在所述晶化Ge1‑xSnx层(007)表面的预设肖特基接触区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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