[发明专利]半导体叠层结构及其制造方法

摘要

一种半导体叠层结构及其制造方法。半导体叠层结构在叠层方向上按序包括：基板、第一叠层及第二叠层。第一叠层位于基板上，包括至少一第一图案化层，第一图案化层包括第一上表面、第一下表面及第一倾斜壁，第一倾斜壁自第一下表面至第一上表面的方向渐缩，其中第一下表面至第一上表面的方向是与叠层方向相同。第二叠层位于第一叠层上，包括至少一第二图案化层，第二图案化层包括第二上表面、第二下表面及第二倾斜壁，第二倾斜壁自第二下表面至第二上表面的方向渐缩，其中，第二下表面至第二上表面的方向是与叠层方向相反。

主权项

1.一种半导体叠层结构，在一叠层方向上按序包括：一基板；一第一叠层，位于该基板上，该第一叠层包括至少一第一图案化层，该第一图案化层包括一第一上表面、一第一下表面及一第一倾斜壁，该第一倾斜壁连接该第一上表面及该第一下表面，并自该第一下表面至该第一上表面的方向渐缩，其中，该第一下表面至该第一上表面的方向是与该叠层方向相同；以及一第二叠层，位于该第一叠层上，该第二叠层包括至少一第二图案化层，该第二图案化层包括一第二上表面、一第二下表面及一第二倾斜壁，该第二倾斜壁连接该第二上表面及该第二下表面，并自该第二下表面至该第二上表面的方向渐缩，其中，该第二下表面至该第二上表面的方向是与该叠层方向相反。