[发明专利]半导体元件处理系统、半导体元件处理装置及半导体元件处理方法有效
| 申请号： | 201811621243.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN110098136B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘晏宏;陈鸿文;陈哲夫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677;B25J9/00;B25J13/08;B25J19/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一实施例中，一种系统包括：气闸；第一半导体处理腔室；第二半导体处理腔室；及传送模块，配置以将感测器移动到第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室中，及移动出第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室，其中感测器配置以：当在第一半导体处理腔室内时，收集表征第一半导体处理腔室的感测器数据；及当在第二半导体处理腔室内时，收集表征第二半导体处理腔室的感测器数据，其中传送模块、第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室在气闸的第一侧面上的受控内部大气内，并且藉由气闸而与在气闸的第二侧面上的不受控外部大气分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 处理 系统 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件处理系统，其特征在于，包含：一气闸；一第一半导体处理腔室；一第二半导体处理腔室；以及一传送模块，配置以将一感测器移动到该第一半导体处理腔室及该第二半导体处理腔室中，以及移动出该第一半导体处理腔室及该第二半导体处理腔室，其中该感测器配置以：当在该第一半导体处理腔室内时，收集表征该第一半导体处理腔室的感测器数据；以及当在该第二半导体处理腔室内时，收集表征该第二半导体处理腔室的感测器数据，其中该传送模块、该第一半导体处理腔室及该第二半导体处理腔室在该气闸的一第一侧面上的一受控内部大气内，并藉由该气闸而与在该气闸的一第二侧面上的一不受控外部大气分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811621243.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：温度控制装置及用于形成光刻胶层的方法
- 下一篇：基板处理方法及基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
