[发明专利]高介电常数栅介质层的柔性薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811621372.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109698241A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;裴智慧 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及柔性器件领域，为提出柔性材料晶体管。本发明，高介电常数栅介质层的柔性薄膜晶体管，PET柔性材料衬底上通过磁控溅射的方式形成有氧化铟锡ITO底栅电极以及锆钛酸钡BZT栅介质膜，BZT栅介质层上部是一层单晶硅薄膜，这层单晶硅薄膜的来源是SOI的硅薄膜，通过在SOI的顶层硅上进行光刻工艺形成掺杂区图案，通过离子注入和退火的工艺形成两处掺杂区，再在顶层硅上通过光刻和反应离子刻蚀RIE的方式形成方孔层,在氢氟酸中进行湿法腐蚀，去掉中间的SiO2,最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在两处掺杂区分别形成有源漏电极。本发明主要应用于柔性材料晶体管设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性材料 掺杂区 高介电常数栅介质层 柔性薄膜晶体管 单晶硅薄膜 顶层硅 光刻 反应离子刻蚀RIE 退火 晶体管设计 真空电子束 磁控溅射 底栅电极 光刻工艺 柔性器件 湿法腐蚀 氧化铟锡 源漏电极 栅介质层 栅介质膜 锆钛酸钡 硅薄膜 氢氟酸 晶体管 衬底 方孔 蒸镀 离子 制造 图案 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高介电常数栅介质层的柔性薄膜晶体管，其特征是，PET柔性材料衬底上通过磁控溅射的方式形成有氧化铟锡ITO底栅电极以及锆钛酸钡BZT栅介质膜，BZT栅介质层上部是一层单晶硅薄膜，这层单晶硅薄膜的来源是SOI的硅薄膜，所谓SOI，是中间层为二氧化硅SiO2,上下层为硅的三层结构，通过在SOI的顶层硅上进行光刻工艺形成掺杂区图案，通过离子注入和退火的工艺形成两处掺杂区，再在顶层硅上通过光刻和反应离子刻蚀RIE的方式形成方孔层,在氢氟酸中进行湿法腐蚀，去掉中间的SiO2,最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式在两处掺杂区分别形成有源漏电极。
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