[发明专利]一种太赫兹真空三极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811621896.X 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109860002B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 阮存军;戴军;徐向晏;刘虎林;丁一坤 申请(专利权)人: 北京航空航天大学;中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: H01J21/10 分类号: H01J21/10;H01J21/20;H01J9/12;H01J19/54
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 周新楣
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开一种太赫兹真空三极管及其制造方法。其中,所述太赫兹真空三极管包括阳极、真空通道层和光阴极,所述真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层,在真空通道层设置真空通道,真空通道贯穿第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层,所述门控制极设置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之间,所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端,所述门控制极和所述阳极之间设置所述第一绝缘材料层,所述门控制极和所述光阴极之间设置所述第二绝缘材料层,所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔。本发明实施例提供的太赫兹真空三极管及其制造方法,延长了太赫兹真空三极管的使用寿命。
搜索关键词: 一种 赫兹 真空 三极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种太赫兹真空三极管,其特征在于,包括阳极、真空通道层和光阴极,其中:所述真空通道层包括第一绝缘材料层、门控制极和第二绝缘材料层,在所述真空通道层设置真空通道,所述真空通道贯穿所述第一绝缘材料层、所述门控制极和所述第二绝缘材料层,所述门控制极设置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之间,所述光阴极和所述阳极设置在所述真空通道的两端,所述门控制极和所述阳极之间设置所述第一绝缘材料层,所述门控制极和所述光阴极之间设置所述第二绝缘材料层,所述光阴极、所述真空通道层和所述阳极之间形成密封腔。
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