[发明专利]一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器

摘要

本发明公开了一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器，利用交换偏置多层膜中铁磁/非磁薄膜和/或铁磁/反铁磁薄膜的超快自旋流注入与逆自旋霍尔效应产生太赫兹波。同时利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应产生的交换偏置磁场，固定钉扎铁磁薄膜的磁化强度；并通过旋转样品架旋转交换偏置多层膜，使铁磁薄膜的磁化强度的取向随之旋转，从而改变产生的太赫兹波的偏振方向。该太赫兹波发生器能够产生和非线性晶体相比拟的太赫兹波，且产生的频谱更宽、结构简单而成本更为低廉。同时，本发明利用铁磁/反铁磁薄膜的交换偏置效应固定了磁化强度的取向，避免了外加磁场发生装置的问题，使得太赫兹波发生器更加简洁方便，且更为实用。

主权项

1.一种基于交换偏置磁场的太赫兹波发生器，其特征在于，包括：飞秒激光脉冲光源、交换偏置多层膜及可旋转样品架；所述飞秒激光脉冲光源设置于所述交换偏置多层膜的入光面一侧；所述交换偏置多层膜包括沿第一方向依次叠加设置的绝缘衬底、反铁磁薄膜、铁磁薄膜、非铁磁薄膜和绝缘层，其中，所述绝缘衬底和所述绝缘层中任意一侧为所述入光面；以及，所述交换偏置多层膜固定于所述可旋转样品架上，所述可旋转样品架用于带动所述交换偏置多层膜以所述第一方向为轴向旋转。