[发明专利]PIN二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811622573.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111384147B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 曹群;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了PIN二极管及其制备方法，PIN二极管具有第一直边和弧形拐角，且包括：N+衬底、N外延层、N‑外延层、P型扩散区、第一隔离区、金属隔离层、正面金属和背面金属。该PIN二极管可以有效降低弧形拐角处动态关断失效的风险，同时也降低了正向注入效率，进而可以有效降低关断时反向电流尖峰，从而PIN二极管的可靠性大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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