[发明专利]掩埋DFB激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811622734.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109510062A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永 | 申请（专利权）人： | 全磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掩埋DFB激光器，其包括：依次层叠的第一导电层、有源层和第二导电层，部分第一导电层与所述有源层、所述第二导电层形成一凸台结构，所述第二导电层远离所述有源层的表面为所述凸台结构的顶面；一阻挡层，所述阻挡层,设置于所述凸台结构的顶面，所述阻挡层的中心部分经刻蚀形成一凹槽，且所述凹槽通至所述凸台结构的顶面；一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述凸台结构的侧面，并覆盖所述凸台结构的侧面和所述第一导电层；一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一掩埋层的表面；一第三导电层，所述第三导电层通过所述凹槽形成于所述凸台结构的顶面，且形成于所述第二掩埋层的表面。本发明还涉及所述掩埋激光器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 凸台结构 掩埋层 顶面 第二导电层 第一导电层 阻挡层 源层 掩埋 导电层 制备 凹槽形成 依次层叠 激光器 侧面 刻蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种掩埋DFB激光器，其特征在于，具体包括：依次层叠的第一导电层、有源层和第二导电层，部分第一导电层与所述有源层、所述第二导电层形成一凸台结构，所述第二导电层远离所述有源层的表面为所述凸台结构的顶面；一阻挡层，所述阻挡层,设置于所述凸台结构的顶面，所述阻挡层的中心部分经刻蚀形成一凹槽，且所述凹槽通至所述凸台结构的顶面；一第一掩埋层，所述第一掩埋层形成于所述凸台结构的侧面，并覆盖所述凸台结构的侧面和所述第一导电层；一第二掩埋层，所述第二掩埋层形成于所述第一掩埋层的表面；一第三导电层，所述第三导电层通过所述凹槽形成于所述凸台结构的顶面，且形成于所述第二掩埋层的表面。
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