[发明专利]精制颗粒三氧化钼的制备方法

摘要

本发明公开了一种精制颗粒三氧化钼的制备方法，其步骤包括：⑴原料混磨：钼酸铵和钼酸钾的混合质量比为100：（3‑5）；⑵原料筛分：筛分筛网孔径为80‑120微米；⑶颗粒态钼粉制备：还原制得颗粒态钼粉；还原炉的预热区温度300℃—350℃，分解区温度380℃—420℃，一次反应区420℃—440℃，过渡区温度500℃—800℃，二次反应区温度1000℃—1100℃，降温区600℃—800℃；⑷钼粉初氧化；⑸钼粉氧化：焙解炉预热区温度300℃—400℃，反应区温度600℃—650℃，降温区温度300℃—500℃；⑹冷却筛分；⑺检验包装。本发明制备的颗粒三氧化钼颗粒强度高、比表面积大、催化性能好。

主权项

1.一种精制颗粒三氧化钼的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：⑴原料混磨：将质量比为100：（3‑5）的钼酸铵和钼酸钾混合后，送入球磨机进行球磨而制得混磨原料；⑵原料筛分：对上述混磨原料进行筛分而制得筛分细料，筛分后所得的粗料返送至球磨机进行再球磨；筛分筛网孔径为80‑120微米；⑶颗粒态钼粉制备：将筛分细料送入还原炉进行还原而制得颗粒态钼粉；还原过程中向还原炉中逆向通入氢气和氮气，还原炉的还原室沿长度方向依次分为预热区、分解区、一次反应区、过渡区、二次反应区和物料降温区；所述预热区温度控制为300℃—350℃，分解区温度控制为380℃—420℃，一次反应区温度控制为420℃—440℃，过渡区温度控制为500℃—800℃，二次反应区温度控制为1000℃—1100℃，物料降温区温度在600℃—800℃；⑷钼粉初氧化：将颗粒态钼粉从还原炉出料口输出，并置于空气中冷却至300℃—400℃，而进行降温和初步氧化；⑸钼粉氧化：将上述的颗粒态钼粉送至焙解炉氧化成三氧化钼，该三氧化钼的比表面积不低于1.5平方米/克；该焙解炉沿物料移动方向依次分为预热区、反应区和降温区，所述的预热区温度控制为300℃—400℃，反应区温度控制为600℃—650℃，降温区温度控制为300℃—500℃；⑹冷却筛分：将上述制得的三氧化钼冷却至室温后，进行筛分得到50微米—2000微米的三氧化钼；⑺检验包装：对上述三氧化钼进行检验，并包装成三氧化钼成品。