[发明专利]具有Ni-Mo合金势垒层的N-PbTe温差电单体及其制备方法有效
| 申请号： | 201811623249.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109537007B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张丽丽;任保国;王泽深 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C25D3/56 | 分类号： | C25D3/56;C25D5/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体及其制备方法，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。以N‑PbTe温差电单体为基体材料，首先脉冲电镀，选择矩形波形，通断比为1：9，电流调节分别为0.005～0.015A，电镀时间为5～15min；再进行直流电镀，电流调节为0.1～0.2A，电镀时间为2～6min；最后再进行一次脉冲电镀，过程和条件与前次脉冲电镀相同。本发明势垒层中少量金属Mo的引入，可有效抑制界面势垒层高温氧化，同时对提升元件单体的抗高温蠕变性能做出贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ni mo 合金 势垒层 pbte 温差 单体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有Ni‑Mo合金势垒层的N‑PbTe温差电单体，其特征在于，在N‑PbTe温差电单体的两端复合有Ni‑Mo合金势垒层，Ni‑Mo合金势垒层厚度为3μm～7μm，合金中Mo质量含量为8％～12％。
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