[发明专利]一种氮化硅CMP抛光液及其抛光供液设备在审
| 申请号： | 201811623642.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109439202A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 伊观兰 | 申请（专利权）人： | 天津洙诺科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人： | 王程远 |
| 地址： | 301800 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅CMP抛光液，由以下重量份的原料制备而成：纳米磨料40～60份、氧化剂2～6份、表面活性剂1～6份、保湿剂2～4份、酸性pH调制剂2～4份、增速剂4～8份、去离子水30～50份、抛光液分散助剂2～6份，本发明的有益效果是：本发明中的抛光液，使用成膜性、锁水能力较强的聚乙烯醇或羟乙基纤维素作为保湿剂，增加了抛光液的保水能力，在使用过程中成功的减少了水分的挥发，抑制了抛光液因水分蒸发而干燥结晶，并且以纳米级别的水溶硅溶胶来进行抛光加工，可实现低应力、低损伤、超光滑加工。同时，其供液设备操作方便、结构简单，不仅能实现高效的供液，还能对抛光废液进行有效地回收。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光液 供液设备 保湿剂 氮化硅 抛光 羟乙基纤维素 氧化剂 表面活性剂 超光滑加工 水溶硅溶胶 保水能力 分散助剂 干燥结晶 聚乙烯醇 纳米级别 纳米磨料 抛光加工 去离子水 水分蒸发 原料制备 成膜性 低损伤 低应力 调制剂 酸性pH 有效地 增速剂 重量份 废液 供液 挥发 回收 成功 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅CMP抛光液，其特征在于，由以下重量份的原料制备而成：纳米磨料40～60份、氧化剂2～6份、表面活性剂1～6份、保湿剂2～4份、酸性pH调制剂2～4份、增速剂4～8份、去离子水30～50份、抛光液分散助剂2～6份。
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