[发明专利]一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件在审
| 申请号： | 201811624645.7 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111383691A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;郭一民 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/30;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件，所述MRAM存储器件包括MRAM存储单元、写状态检测单元，所述MRAM存储单元至少包括第一和第二磁性隧道结以及耦合到第一和第二磁性隧道结的MOS管，其中第一和第二磁性隧道结中的一个具有相对于读取和写入的电流路径的参考和记忆层的正常顺序，另一个磁性隧道结具有相对于读取和写入的电流路径的参考层和记忆层的相反顺序；所述第一和第二磁性隧道结一端分别与第一位线和第二位线相连，另一端连接MOS管；所述写状态检测单元包括检测点、比较器，所述写状态检测单元适用于检测MRAM存储单元的状态转换，并根据检测结果提前终止写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 状态 检测 单元 mram 存储 器件 | ||
【主权项】：
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