[发明专利]利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法有效

专利信息
申请号: 201811624760.4 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN109850904B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 高忙忙;强璐;高昂;赵旭;祁雪燕;梁森;李海波 申请(专利权)人: 宁夏大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 宁夏合天律师事务所 64103 代理人: 孙彦虎
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法为配置提纯原料,将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料;将提纯原料倒入反应炉中,通入氩气和氢气的混合气体,氩气与氢气的体积比为100:4,以将反应炉中的空气排出;按照8℃/min的速度提高反应炉的温度,直至反应炉中的温度升高至1450℃,并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体,以使反应炉维持惰性的气体环境;提纯原料在1450℃的条件下保温2h,然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃,然后自然冷却至室温;对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理,具体为提纯原料在室温时,按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上,然后保温5~25min;自然冷却至室温,然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
搜索关键词: 利用 固态 提高 合金 提纯 多晶 收率 方法
【主权项】:
1.一种利用半固态法提高合金法提纯多晶硅收率的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤S001,配置提纯原料,将铝硅原料按照Al‑50wt%Si进行配比作为提纯原料;步骤S002,将提纯原料倒入反应炉中,通入氩气和氢气的混合气体,氩气与氢气的体积比为100:4,以将反应炉中的空气排出,防止铝和硅在高温状态下被空气氧化;步骤S003,按照8℃/min的速度提高反应炉的温度,直至反应炉中的温度升高至1450℃,并按照预定速度通入步骤S002中氩气和氢气的混合气体,以使反应炉维持惰性的气体环境;步骤S004,提纯原料在1450℃的条件下保温2h,然后按照8℃/min的速度进行降温至600℃,然后自然冷却至室温;步骤S005,对冷却至室温的提纯原料进行半固态处理,具体为提纯原料在室温时,按照20℃/s的速度升温至硅和铝的共晶温度以上,然后保温5~25min;步骤S006,对经过步骤S005保温后的提纯原料自然冷却至室温,然后酸洗得到提纯后的多晶硅。
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