[发明专利]切割芯片接合薄膜有效
申请号: | 201811624812.8 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109971376B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 木村雄大;高木尚英;大西谦司;宍户雄一郎;大和道子 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/24 | 分类号: | C09J7/24;C09J7/40;C09J133/08;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种切割芯片接合薄膜,本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割胶带(10)、粘合粘接剂层(20)和隔膜(S)。切割胶带(10)具有基材(11)和该基材上的粘合剂层(12)。粘合粘接剂层(20)以能够剥离的方式密合于切割胶带(10)的粘合剂层(12)。隔膜(S)配置在粘合粘接剂层(20)上,且能够从粘合粘接剂层(20)剥离。粘合粘接剂层(20)的隔膜侧表面的表面自由能γs |
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搜索关键词: | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种切割芯片接合薄膜,其具备:具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割胶带;以能够剥离的方式密合于所述切割胶带中的所述粘合剂层的粘合粘接剂层;以及所述粘合粘接剂层上的能够从该粘合粘接剂层剥离的隔膜,用于形成所述粘合粘接剂层与所述隔膜的界面的所述粘合粘接剂层的表面具有28~40mJ/m2的第一表面自由能,用于形成所述粘合粘接剂层与所述隔膜的界面的所述隔膜的表面具有14~35mJ/m2的第二表面自由能,所述第一表面自由能减去所述第二表面自由能而得的值为0~19mJ/m2。
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