[发明专利]一种节省面积的存储器数据读取锁存传输电路及控制方法有效
申请号: | 201811626481.1 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN109768797B | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 汪齐方;陈涛 | 申请(专利权)人: | 普冉半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;G11C16/26 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 刘琰;贾慧琴 |
地址: | 200000 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明是一种节省面积的存储器数据读取锁存传输电路,包含:第一级cache、第二级cache、SA电路、第一传输NMOS管、第二传输NMOS管、数据读出控制电路;第一级cache通过第一传输NMOS管与SA电路连接,第二级cache通过第二传输NMOS管与SA电路连接,且数据读出控制电路与第二级cache连接;SA电路与cell array连接;第一级cache是锁存从cell array读到的数据;第二级cache是为了存储数据,以便在第一级cache读array数据的同时,向外读出数据,且在进行数据对比时,作为参考数据进行比较;第一级cache和第二级cache各设有2个三态反相器,其中至少一个三态反相器的结构是节省面积的三态反相器。 | ||
搜索关键词: | 一种 节省 面积 存储器 数据 读取 传输 电路 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种节省面积的三态反相器,其特征在于,是一个NMOS管和两个PMOS管的组合结构,或是一个PMOS管和两个NMOS管的组合结构;其中,一个NMOS管和两个PMOS管的组合结构是第一PMOS管的源极接电源VDD输入端,栅极接三态反相器第一控制信号,漏极接第二PMOS管的源极;第二PMOS管的栅极接三态反相器输入端,漏极接三态反相器输出端;所述NMOS管的源极接地,栅极接三态反相器输入端,漏极接三态反相器输出端;一个PMOS管和两个NMOS管的组合结构是PMOS管的源极接电源VDD输入端,栅极接三态反相器输入端,漏极接三态反相器输出端;第一NMOS管的漏极接三态反相器输出端,栅极接三态反相器输入端,源极接第二NMOS管的漏极;第二NMOS管的栅极接第二控制信号,源极接地。
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