[发明专利]用于化学气相沉积的进气口元件及其制造方法在审
申请号: | 201811626515.7 | 申请日: | 2009-12-03 |
公开(公告)号: | CN110079789A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 米哈伊尔·贝鲁索夫;博扬·米特洛维克;耿·莫伊 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 刘培培 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 用于化学气相沉积反应器(10)的进气口元件由多个长形的管状元件(64,65)构成,该多个长形的管状元件相互肩并肩地设置在一个垂直于反应器上下游方向的平面上。所述管状元件具有用于沿下游方向排放气体的进气口。晶片载体(14)绕着上游至下游的轴旋转。气体分布元件可以提供这样的气体分布模式:气体分布关于延伸穿过所述轴的中间平面(108)为非对称。 | ||
搜索关键词: | 进气口 管状元件 气体分布 长形 化学气相沉积反应器 化学气相沉积 气体分布元件 晶片载体 排放气体 下游方向 延伸穿过 中间平面 反应器 非对称 轴旋转 垂直 上游 制造 | ||
【主权项】:
1.一种进气口元件,其特征在于,具有气体分布表面,所述气体分布表朝向下游方向,并在相互垂直且垂直于下游方向的X和Y水平方向上延伸,所述进气口元件具有多个长形的进气口,适于将气体在所述下游方向排放至反应室内,所述长形的进气口在X水平方向上相互平行地延伸,所述长形的进气口设置为在气体分布表面的主要部分上延伸的模式,所述长形的进气口包括多个用于排放第一气体的第一进气口,以及多个用于排放第二气体的第二进气口,所述第一进气口在Y水平方向上相互间隔设置,所述第二进气口在Y水平方向上相互间隔设置,并与第一进气口穿插,其中,所述第一和第二进气口设置为关于沿X水平方向延伸的中间平面成反对称的模式,使得对于任何距X方向中间平面的一侧为正Y距离的第一进气口,都在相应的、距X方向中间平面的相对侧为负Y距离处设置第二进气口,因此,一旦所述第一反应气体和所述第二反应气体从所述第一进气口和所述第二进气口排放到靠近旋转的晶片载体的位置,所述第一反应气体和所述第二反应气体就被卷入旋转气流并且彼此混合,以使物质在由所述载体保持的晶片上沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威科仪器有限公司,未经威科仪器有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811626515.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于PEALD的紫外减反射薄膜的镀制方法
- 下一篇:石墨基座
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的