[发明专利]一种高压倒装LED芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201811626942.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109728140A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 沈铭 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/08;H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压倒装LED芯片及其形成方法，所述芯片包括：至少两个相互连接的发光单元；若干个沟槽隔离结构，每一沟槽隔离结构用于隔离相邻的两个发光单元；每一沟槽隔离结构内部表面覆盖有绝缘保护层；其中，至少一个沟槽隔离结构经过高压倒装LED芯片的中轴线，经过中轴线的沟槽隔离结构包括外扩段和沟槽段，沟槽段连通外扩段，外扩段包含顶针区域。本发明解决了由于顶针将槽隔离结构上的绝缘保护层刺伤，从而导致所述高压倒装LED芯片漏电失效的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽隔离结构 倒装LED芯片 外扩段 顶针 绝缘保护层 发光单元 沟槽段 中轴线 槽隔离结构 漏电 内部表面 刺伤 连通 芯片 隔离 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高压倒装LED芯片，其特征在于，包括：至少两个相互连接的发光单元；若干个沟槽隔离结构，每一所述沟槽隔离结构用于隔离相邻的两个所述发光单元；每一所述沟槽隔离结构内部表面覆盖有绝缘保护层；其中，至少一个所述沟槽隔离结构经过所述高压倒装LED芯片的中轴线，经过所述中轴线的所述沟槽隔离结构包括外扩段和沟槽段，所述沟槽段连通所述外扩段，所述外扩段包含顶针区域。
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