[发明专利]GaN基LED白光垂直结构芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811626958.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713089A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 童玲 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED白光垂直结构芯片及其制备方法，所述芯片包括：依次堆叠的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；凹槽，凹槽贯穿P‑GaN层和量子阱层且暴露N‑GaN层；反射层，形成于P‑GaN层上；第一绝缘层，第一绝缘层形成于反射层上且覆盖凹槽的侧壁；保护层，形成于反射层上；第二绝缘层，形成于保护层和第一绝缘层上；键合衬底以及位于键合衬底上的键合层，键合层面向第二绝缘层，且填充凹槽以与N‑GaN层电性连接；钝化层，覆盖P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层和未掺杂层的侧壁以及第一绝缘层上；P电极，形成于P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层和未掺杂层的一侧，并通过保护层与P‑GaN层电性连接。本发明提高了白光的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 量子阱层 未掺杂层 保护层 反射层 白光 垂直结构芯片 电性连接 键合层 侧壁 制备 光提取效率 绝缘层形成 钝化层 堆叠 覆盖 填充 芯片 暴露 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED白光垂直结构芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供一生长衬底，在所述生长衬底上依次形成有未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；对所述P‑GaN层和量子阱层进行刻蚀以得到凹槽，所述凹槽暴露出所述N‑GaN层；在所述P‑GaN层上形成反射层，在所述反射层上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽的侧壁；在所述反射层上形成保护层；在所述保护层和第一绝缘层的表面上形成第二绝缘层，对所述凹槽底部的所述第一绝缘层和第二绝缘层进行刻蚀，暴露出所述N‑GaN层；在所述第二绝缘层上形成键合层，所述键合层填充所述凹槽，并与暴露的N‑GaN层电连接；在所述键合层上键合一键合衬底；去除所述生长衬底；对所述未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层进行刻蚀，以得到暴露出所述第一绝缘层的N‑MESA台面；在所述键合衬底的全局表面上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述第一绝缘层、未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；定义P电极形成区，所述P电极形成区位于所述P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层和未掺杂层的一侧，对所述P电极形成区的钝化层和第一绝缘层进行刻蚀，暴露出所述保护层，在所述保护层上形成P电极；以及对所述未掺杂层表面的所述钝化层进行刻蚀，暴露出所述未掺杂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于映瑞光电科技（上海）有限公司，未经映瑞光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811626958.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光源和自然光谱的生成方法
- 下一篇：一种垂直结构LED芯片及其制造方法
