[发明专利]一种Cl/Cu2O纳米薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811627614.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109574064A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 赵英杰;钟福新;王晓娟;伍泳斌;莫德清 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Cl/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和KCl溶液并搅拌混合均匀，再加入KOH溶液;(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~110℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2063~0.4217 V的Cl/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米薄膜 反应釜 制备 烘箱 一步水热合成 反应釜内壁 聚四氟乙烯 水热反应釜 光电性能 设备要求 光电压 盖子 放入 斜靠 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种Cl/Cu2O纳米薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为:(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入8.00 mL浓度为0.05 ~ 0.40 mol/L 的CuSO4•5H2O溶液和4.00 mL浓度为0.000 mol/L ~ 0.004 mol/L的 KCl溶液并搅拌混合均匀，再加入2.00 mL浓度为0.10 ~ 0.50 mol/L 的KOH溶液;(2)将Cu片放入步骤(1) 反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50 ℃ ~ 110 ℃的烘箱中反应5 ~ 10 小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2063 ~ 0.4217 V的Cl/Cu2O纳米薄膜。
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