[发明专利]一种高孔隙率碳化硅基多孔陶瓷材料的制备方法在审
| 申请号： | 201811627912.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109553420A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王传彬;陈斐;张联盟 | 申请（专利权）人： | 淄博赛拉米克陶瓷科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/628;C04B38/08 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 255025 山东省淄博市高新区柳泉*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高孔隙率碳化硅基多孔陶瓷材料的制备方法，是将磷酸作为添加剂与碳化硅表面氧化层反应制备高强度、孔隙率可控的碳化硅基多孔陶瓷材料的技术，即：将粒径为0.5～20μm的碳化硅陶瓷粉料进行表面氧化处理，在碳化硅原料粉表面生成氧化硅氧化层，再将液体磷酸作为添加剂直接与处理后的原料粉均匀混合，其中磷酸添加量为5～35wt.％；将混合料进行模压成型，再经冷等静压处理，得到坯体；随后将坯体在900～1500℃的惰性气体保护气氛下进行常压烧结，控制反应升温速率为0.5～5℃/分钟和保温时间为2～5小时，即可。本发明工艺简单、成本低、可重复性高，而且所制备的碳化硅基多孔陶瓷材料孔隙结构稳定，不易产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔陶瓷材料 碳化硅基 制备 高孔隙率 氧化层 磷酸 坯体 添加剂 表面氧化处理 惰性气体保护 碳化硅表面 碳化硅陶瓷 碳化硅原料 常压烧结 可重复性 孔隙结构 冷等静压 模压成型 液体磷酸 混合料 可控的 孔隙率 添加量 氧化硅 原料粉 粉料 粒径 保温 | ||
【主权项】：
1.一种高孔隙率碳化硅基多孔陶瓷材料的制备方法，其特征是将原料粉表面处理形成表面氧化层，添加液体磷酸与氧化硅在高温下反应制备高强度、孔隙率可控的碳化硅基多孔陶瓷材料，按下述步骤进行：(1)碳化硅粉料表面处理；将碳化硅多孔陶瓷粉料在900℃～1100℃下进行高温表面氧化，保温2～4h，在原料粉表面生成无定形的二氧化硅氧化层；(2)混料：将液体磷酸作为添加剂与预处理后的碳化硅粉料均匀混合，其中液体磷酸重量浓度为75～98％，液体磷酸添加量为5～35wt.％；(3)坯体成型：将混合料放入模具中，10～50MPa模压成型，再经100～300MPa冷等静压处理，得到成型的坯体材料；(4)常压气氛烧结；将坯体材料在900～1500℃惰性气体保护气氛下常压烧结，控制反应升温速率0.5～5℃/分钟和保温时间2～5小时，得到一种强度高、孔隙率高且可控的碳化硅基多孔陶瓷材料。
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