[发明专利]一种高压发光二极管芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高压发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。方法包括：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上开设延伸至N型半导体层的第一凹槽；在N型半导体层上开设延伸至衬底的第二凹槽；在第二凹槽内、以及第二凹槽周围的N型半导体层和P型半导体层上铺设绝缘层；在绝缘层上沉积氧化硼硅并加热软化，形成台阶舒缓层，台阶舒缓层的上表面的连接端面与下水平端面之间的夹角为钝角；在台阶舒缓层上设置连接电极，连接电极的一端延伸至N型半导体层上，连接电极的另一端延伸至P型半导体层上，并在N型半导体层上设置N型电极，P型半导体层上设置P型电极。本发明通过可以提高芯片的可靠性。

主权项

1.一种高压发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层；在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的第一凹槽；在所述第一凹槽内的N型半导体层上开设延伸至所述衬底的第二凹槽；在所述第二凹槽内、以及所述第二凹槽周围的N型半导体层和P型半导体层上铺设绝缘层；在所述绝缘层上沉积氧化硼硅并加热软化，形成台阶舒缓层，所述台阶舒缓层的上表面包括上水平端面、下水平端面、以及所述上水平端面和所述下水平端面的连接端面，所述连接端面与所述下水平端面之间的夹角为钝角；在所述台阶舒缓层上设置连接电极，所述连接电极的一端延伸至所述台阶舒缓层周围的N型半导体层上，所述连接电极的另一端延伸至所述台阶舒缓层周围的P型半导体层上，并在未设置所述连接电极的N型半导体层上设置N型电极，未设置所述连接电极的P型半导体层上设置P型电极。