[发明专利]一种平面栅双极型晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201811628934.4 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109713035B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 阳平 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 温州知远专利代理事务所(特殊普通合伙) 33262 | 代理人： | 汤时达 |
| 地址： | 201100 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平面栅双极型晶体管，包括具有第一掺杂类型的半导体衬底、形成于半导体衬底表面的JFET区及基区、形成于基区表面的发射区、位于半导体衬底上方的栅极，基区具有第二掺杂类型，发射区具有第一掺杂类型，半导体衬底的上方设置有栅氧化层，栅极包括位于JFET区的左右两侧且间隔一定距离的栅极左部和栅极右部，本发明平面栅双极型晶体管还包括二氧化硅膜形成的FOX区。本发明采用FOX区来分隔栅极，减小无效栅极面积，使得本发明的平面栅双极型晶体管能实现更低的栅源电容、栅漏电容和器件开关损耗，具有更高的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 栅双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面栅双极型晶体管，包括具有第一掺杂类型的半导体衬底、形成于半导体衬底表面的JFET区及基区、形成于基区表面的发射区、位于半导体衬底上方的栅极，所述基区具有第二掺杂类型，所述发射区具有第一掺杂类型，其特征在于：所述半导体衬底的上方设置有栅氧化层，所述栅极包括位于所述JFET区的左右两侧且间隔一定距离的栅极左部和栅极右部。
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