[发明专利]存储器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201811629083.5 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN110045920B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 池育德;刘建瑛;史毅骏 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种存储器件的电路包括:将多个数据字写入到存储器件的相应位单元中,其中,每个数据字具有多个数据位;响应于确定并非多个数据字的所有数据位都被正确地写入到存储器件的相应位单元中,将多个数据字分组为多个数据字集;并且同时重写未被正确地写入到存储器件的相应位单元中的数据位的子集,其中,数据位的子集包含在多个数据字集的相应一个中。本发明的实施例还提供了存储器件的操作方法。
搜索关键词: 存储 器件 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种用于操作存储器件的方法,包括:将多个数据字写入到存储器件的相应位单元中,其中,每个所述数据字具有多个数据位;响应于确定并非所述多个数据字的所有数据位都被正确地写入到所述存储器件的相应位单元中,将所述多个数据字分组为多个数据字集;以及同时重写未被正确地写入到所述存储器件的相应位单元中的数据位的子集,其中,所述数据位的子集包含在所述多个数据字集的相应一个中。
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