[发明专利]GaN基LED垂直结构芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN基LED垂直结构芯片及其制备方法，所述芯片包括：依次堆叠的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；凹槽，凹槽贯穿P‑GaN层和量子阱层且暴露N‑GaN层，透明导电层，其形成于P‑GaN层上，其靠近凹槽的侧壁的边缘和凹槽的侧壁之间的间距处于预设范围内；反射层，形成于透明导电层上；第一绝缘层，其形成于反射层上且覆盖凹槽的侧壁和P‑GaN层；阻挡层，形成于反射层上；第二绝缘层，形成于阻挡层和第一绝缘层上；键合衬底以及位于键合衬底上的键合层，键合层填充凹槽以与N‑GaN层电性连接；以及P电极，形成于P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层和未掺杂层的一侧，并通过阻挡层与P‑GaN层电性连接，本发明提高了芯片的出光率。

主权项

1.一种GaN基LED垂直结构芯片，其特征在于，包括：依次堆叠的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；凹槽，所述凹槽贯穿所述P‑GaN层和量子阱层且暴露所述N‑GaN层；透明导电层，其形成于所述P‑GaN层上，所述透明导电层暴露所述N‑GaN层和靠近所述凹槽的侧壁顶部的部分P‑GaN层，所述透明导电层靠近所述凹槽的侧壁的边缘和所述凹槽的侧壁之间的间距处于预设范围内；反射层，形成于所述透明导电层上；第一绝缘层，所述第一绝缘层形成于所述反射层上且覆盖所述凹槽的侧壁和暴露的所述部分P‑GaN层；阻挡层，形成于所述反射层上；第二绝缘层，形成于所述阻挡层和第一绝缘层上；键合衬底以及位于所述键合衬底上的键合层，所述键合层面向所述第二绝缘层，且填充所述凹槽以与所述N‑GaN层电性连接；钝化层，覆盖所述P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层和未掺杂层的侧壁以及所述第一绝缘层上；以及P电极，形成于所述P‑GaN层、量子阱层、N‑GaN层和未掺杂层的一侧，并通过所述阻挡层与所述P‑GaN层电性连接。