[发明专利]一种垂直结构LED芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201811629262.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109713090B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 朱酉良 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括导电衬底，形成于导电衬底的下表面的P电极，依次设置于导电衬底的上表面的具有键合面的第一键合结构、具有键合面的第二键合结构、反射层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层和N电极；其中，第一键合结构和第二键合结构的材料相同，第一键合结构的键合面朝向第二键合结构的键合面。本发明通过将第一键合结构和第二键合结构设计成为两个材料相同的键合结构，使得在形成第一键合结构和第二键合结构时仅需一套设备就可以完成，可以减少人工需要，从而节约了成本，优化了产线工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，包括导电衬底，形成于所述导电衬底的下表面的P电极，依次设置于所述导电衬底的上表面的具有键合面的第一键合结构、具有键合面的第二键合结构、反射层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层和N电极；其中，所述第一键合结构和第二键合结构的材料相同，所述第一键合结构的键合面朝向所述第二键合结构的键合面。
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