[发明专利]低应力单层芯片电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811629941.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585162B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 程艳萍;段兆祥;杨俊;柏琪星;唐黎民 | 申请（专利权）人： | 广东芯晟电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/12;H01G4/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 526070 广东省肇庆市鼎湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低应力单层芯片电容器，所述低应力单层芯片电容器包括陶瓷基片、面电极、底电极以及设于陶瓷基片内部的至少一个缓冲层，所述面电极设于所述陶瓷基片的顶面，所述底电极设于所述陶瓷基片的底面；各缓冲层在垂直于所述陶瓷基片的底面的方向上间隔设置，所述缓冲层为内部中空的呈封闭框形的金属层，其边框沿所述陶瓷基片的侧面布置，并外露于所述陶瓷基片的侧面。本发明还涉及所述低应力单层芯片电容器的制备方法。本发明所述低应力单层芯片电容器的切割面不易发生碎裂，结构完整性好和可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 单层 芯片 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低应力单层芯片电容器，包括陶瓷基片、面电极和底电极，所述面电极设于所述陶瓷基片的顶面，所述底电极设于所述陶瓷基片的底面；其特征在于：还包括设于所述陶瓷基片内部的至少一个缓冲层，各缓冲层在垂直于所述陶瓷基片的底面的方向上间隔设置，所述缓冲层为内部中空的呈封闭框形的金属层，其边框沿所述陶瓷基片的侧面布置，并外露于所述陶瓷基片的侧面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东芯晟电子科技有限公司，未经广东芯晟电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811629941.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
