[发明专利]锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法

摘要

本发明提供一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，在氧化膜侧壁上形成氮化膜侧墙；将光刻胶覆盖氮化膜掩膜层和氧化膜上表面；利用N型、P型多晶硅栅极的高度差，使N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化膜掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上氧化膜表面仍被光刻胶覆盖；将N型多晶硅栅极上的氧化膜以及氧化膜掩膜层去除至露出氮化膜掩膜层；P型多晶硅栅极上的氧化膜仍被光刻胶覆盖；光刻胶剥离后去除氮化掩膜层和氮化膜侧墙。由于N型多晶硅栅极氧化掩膜层已经被单独刻蚀，所以DHF刻蚀时间可以大大缩短，P型多晶硅氧化膜不会过度消耗，有利于保护P型多晶硅栅极，同时可以增加磷酸刻蚀时间，避免N型氮化掩膜层残留。

主权项

1.一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于，提供一半导体结构，至少包括：P阱和位于P阱上的N型多晶硅栅极、所述N型多晶硅栅极上形成有氮化膜掩膜层，位于氮化膜掩膜层上的氧化膜掩膜层；所述N型多晶硅栅极、氮化膜掩膜层以及氧化膜掩膜层的侧壁具有第一氮化膜侧墙；覆盖于所述氧化膜掩膜层上表面和所述第一氮化膜侧墙外表面的氧化膜；N阱及位于N阱上的P型多晶硅栅极、所述P型多晶硅栅极侧壁形成有第一氮化膜侧墙，覆盖于所述P型多晶硅栅极上表面和所述第一氮化膜侧墙外表面的氧化膜；所述N型多晶硅栅极的高度高于所述P型多晶硅栅极的高度；形成于所述N阱中的锗硅，该方法至少包括：步骤一、在所述氧化膜侧壁上形成第二氮化膜侧墙；步骤二、涂光刻胶，将所述光刻胶覆盖所述N型多晶硅栅极和其上的氮化膜掩膜层，同时覆盖所述P型多晶硅栅极和其上的氧化膜上表面；步骤三、光刻胶回刻，利用N型多晶硅栅极与所述P型多晶硅栅极的高度差，使所述N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化膜掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上的氧化膜上表面仍被光刻胶覆盖；步骤四、将所述N型多晶硅栅极上表面的氧化膜以及氧化膜掩膜层利用刻蚀去除至露出所述氮化膜掩膜层；所述P型多晶硅栅极上的氧化膜上表面仍被光刻胶覆盖；步骤五、进行光刻胶的剥离和清洗；步骤六、去除所述N型多晶硅栅极上的氮化掩膜层和所述第二氮化膜侧墙。