[发明专利]CMOS光学传感器的深槽隔离结构及形成方法

摘要

本发明公开了一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构，包含：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；所述的深槽隔离结构位于半导体基底中，形成一个个深槽构成阵列，所述光电二极管均位于深槽隔离的下方，每个深槽隔离形成一个像素子单元；深槽隔离的上方具有开口；所述的深槽隔离为空气隔离，深槽的侧壁为充满空气的一圈薄壁空间。本发明通过空气隔离(Air‑gap)的方式将原本需要介质填充的深沟槽结构提前封闭,而使空气保留其中，从而在像素单元周围形成一周气隙，使大角度入射光发生全反射，光线被局限在介质与气隙界面间，从而达到减少CIS器件中光串扰的目的。本发明形成方法直接将深槽结构通过快速横向填充夹断，简化了工艺难度。

主权项

1.一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；所述的深槽隔离结构位于半导体基底中，形成一个个深槽构成阵列，所述光电二极管均位于深槽隔离的下方，每个深槽隔离形成一个像素子单元；深槽隔离的上方具有开口；所述的深槽隔离为空气隔离，深槽的侧壁为充满空气的一圈封闭的薄壁空间。