[发明专利]一种接合材料、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811630981.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109755208B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郎丰群;胡竣富;吴虹;王军鹤 | 申请（专利权）人： | 西安华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L25/16;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 710075 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种接合材料，包括支撑层和设置在所述支撑层相对两侧表面上的焊料层，所述支撑层包括Cu、Ni、Ag、Ti、Zn金属及其合金中的至少一种，所述支撑层具有多孔结构，所述焊料层包括锡基焊料和铟基焊料中的至少一种。该接合材料中，焊料层的焊料与支撑层的金属或合金可在接合温度下反应生成熔点高于接合温度的高熔点金属间化合物，从而可通过较低接合温度获得耐高温接合层，可耐多次回流；且由于支撑层具有多孔结构，将支撑层多孔结构保留在接合层，可有效缓冲内部应力，提高接合可靠性。本发明实施例还提供了采用该接合材料接合的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接合 材料 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种接合材料，其特征在于，包括支撑层和设置在所述支撑层相对两侧表面上的焊料层，所述支撑层包括Cu、Ni、Ag、Ti、Zn金属及其合金中的至少一种，所述支撑层具有多孔结构，所述焊料层包括锡基焊料和铟基焊料中的至少一种。
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