[发明专利]太赫兹探测器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811631501.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109494293A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 赵自然;王迎新;陈猛;马旭明 | 申请（专利权）人： | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | H01L37/02 | 分类号： | H01L37/02;G01J5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张启程 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种太赫兹探测器及其制造方法，该太赫兹探测器包括基底；以及至少一个探测单元，每个所述探测单元均包括：沟道材料，所述沟道材料设置在所述基底上，两个电极，两个所述电极分别与所述沟道材料的纵向方向的两端欧姆接触，和三维石墨烯，所述三维石墨烯与所述沟道材料直接或间接地热接触。本公开所提出的探测器通过将三维石墨烯作为吸收体，解决了沟道材料对太赫兹波吸收不足的问题，从而有效地提高了探测器的响应灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道材料 太赫兹探测器 石墨烯 三维 探测单元 电极 探测器 基底 响应灵敏度 欧姆接触 太赫兹波 吸收体 有效地 地热 制造 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹探测器，包括：基底；以及至少一个探测单元，每个所述探测单元均包括：沟道材料，所述沟道材料设置在所述基底上，两个电极，两个所述电极分别与所述沟道材料的纵向方向的两端欧姆接触，和三维石墨烯，所述三维石墨烯与所述沟道材料直接或间接地热接触。
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