[发明专利]倒置QLED器件的制备方法

摘要

本申请提供一种倒置QLED器件的制备方法，包括一制备电子传输层的制程，制备电子传输层的制程包括制备电子传输层的前驱体溶液；调节前驱体溶液的表面张力和黏度，以适应喷墨打印的需求；采用喷墨打印工艺将调节完毕的前驱体溶液喷涂在阴极层上，并干燥形成一膜层；热处理膜层，以形成电子传输层。本申请通过采用原位反应法形成电子传输层，提高了电子传输层的成膜性、均一性和平整性。

主权项

1.一种倒置QLED器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一基板；步骤S2，在所述基板上形成具有凹陷部的像素界定层；步骤S3，在所述凹陷部内形成阴极层；步骤S4，在所述阴极层上形成电子传输层；步骤S5，在所述电子传输层上依次形成发光层、空穴传输层和阳极层；其中所述步骤S4包括：步骤S41，制备所述电子传输层的前驱体溶液；步骤S42，调节所述前驱体溶液的表面张力和黏度，以适应喷墨打印的需求；步骤S43，采用喷墨打印工艺将调节完毕的前驱体溶液喷涂在所述阴极层上，并干燥形成一膜层；步骤S44，热处理所述膜层，以形成所述电子传输层。