[发明专利]一种金属微/纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201811631648.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109795975A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 郝宗斌;傅欣欣;张良;葛海雄;袁长胜;崔玉双 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种金属微/纳米线阵列及其制备方法。该金属微/纳米线阵列包括支撑层金属薄片和竖立在所述金属薄片上的金属微/纳米线。该金属微/纳米线阵列具有大的深宽比，且该金属微/纳米线的直径、高度和金属薄片的厚度可以精确控制；金属微/纳米线直接竖立在金属薄片上，相互之间无交叉和重叠，提高了比表面积和重复利用率；该金属微/纳米线阵列可以应用于制备大深宽比、柔性的纳米器件。该制备方法以具有较好刚性和刻蚀稳定性的材料为衬底，可以保证刻蚀过程中不易出现坍塌等问题，得到高深宽比的微/纳米线阵列；此外，本方法可以通过控制刻蚀时间，精确控制微/纳米线的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 金属 金属薄片 纳米线 制备 深宽比 竖立 微纳加工技术 刻蚀稳定性 重复利用率 高深宽比 刻蚀过程 纳米器件 支撑层 衬底 刻蚀 坍塌 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种金属微/纳米线阵列，其特征在于，包括支撑层金属薄片和竖立在所述支撑层金属薄片上的金属微/纳米线；其中，所述微/纳米线的高度与直径之间的比值为(5‑20):1。
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