[发明专利]一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法在审
| 申请号： | 201811632166.X | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109545765A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 宁波;刘义芳 | 申请（专利权）人： | 华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郭永丽;党娟娟 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET晶圆及MOSFET晶圆表面制备方法，涉及半导体领域。用以解决基于现有晶圆存在电阻比较大，在晶圆表面电流容易形成热点效应的问题。本发明实施例提供一种MOSFET晶圆，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆表面金属 表面金属层 晶圆表面 衬底层 制备 半导体领域 金属制备 热点效应 金属层 金属化 电阻 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET晶圆，其特征在于，包括：衬底层，S极表面金属层和晶圆表面金属层；所述S极表面金属层覆盖在所述衬底层上，所述晶圆表面金属层设置在所述S极表面金属层上；所述晶圆表面金属层从下至上包括5层不同金属制备的金属化金属层。
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